安储科技有限公司（以下简称“安储科技”）宣布已完成Pre-A轮融资，本轮融资由中科创星领投，天汇资本、张家港智慧创投跟投。资金将用于产能扩建与设备研发。

安储科技成立于2020年，专注于先进电子材料研发、生产和销售，主营产品为配方型功能电子化学品（如抛光液、清洗液， 湿法刻蚀液， 光刻胶剥离液等）以及电子特气安全存储负压钢瓶两大产品系列。

公司核心成员包括拥有国际知名材料企业多年研发、生产经验的博士和专业人才，拥有多年先进制程节点以及各种材料表面的抛光、清洗经验，以成为中国领先的电子材料平台为愿景，旨在为半导体领域提供更佳的抛光清洗方案以及更先进的电子材料。

碳化硅作为宽禁带半导体，适合高压、大电流的应用场景，近年来受到新能源汽车、光伏储能等行业影响，市场增速极快，国内碳化硅产业也在2021年～2022年得到迅速发展。但碳化硅衬底硬度高、脆性大，给抛光带来了极大难度。而抛光后因其晶圆和机台的清洗工艺流程更长，也提高了碳化硅晶圆的制造成本。因此，目前碳化硅衬底的抛光液和清洗液由国际厂商主导，在国内仍属新兴领域。

在碳化硅衬底抛光清洗上，安储科技拥有抛光液、抛光后晶圆清洗液、抛光后机台抛光垫清洗液全工艺环节耗材产品。与传统方案相比，安储科技的产品性能更加优异，成本更具竞争优势。

在碳化硅衬底抛光液方面，目前Fujimi、Ferro、卡博特（Cabot）、圣戈班（Saint-Gobain）等国际厂商占据全球大部分市场，这些厂商普遍采用氧化铝作为研磨颗粒。安储科技则创新性的采用了金属氧化物作为研磨颗粒，其ACTL-WS系列抛光液不仅拥有较高的抛光速率，同时可获得低表面粗糙度，低缺陷的晶圆表面。而且抛光液可以循环使用，降低客户使用成本。

抛光后的晶圆清洗液方面，晶圆表面残留的高锰酸钾、抛光粒子，碎屑等污染物，对碳化硅表面污染程度比硅更高。此外传统的RCA工艺清洗流程长，工艺要求高。安储科技的WK系列清洗液是专为上述场景设计的配方类清洗液，使用一步清洗，缩减了清洗工艺，清洗效果好，能有效的去除晶圆表面有机物以及颗粒等污染物。

另外，碳化硅衬底抛光后机台抛光垫清洗液方面，安储科技开发的PK系列抛光后机台抛光垫清洗液可以有效的清洗抛光后残留物，清洗性能优异，清洗时间短，并可稀释使用，降低客户成本。

基于多年的半导体材料开发经验，在硅基制程CMP后清洗方面安储科技也开发了一系列清洗产品。 半导体制程中化学机械抛光（CMP）后表面易产生研磨粒子，有机物，金属离子等缺陷。需要通过特殊的功能性化学清洗减少缺陷，提高良率，这是芯片生产中必须的步骤。安储科技开发了系列PCMP抛光后清洗， 产品覆盖130nm至5nm制程， 适用于不同材料抛光后的清洗， 比如铜， 钴， 钨以及氧化硅表面等。

在铜蚀刻液领域，韩国厂商占据主流地位，其难点在于保持锥角稳定，以及槽式清洗时残留残渣对溶液清洗性能的影响。安储科技开发的铜蚀刻液不含氟离子，环保安全，可精确控制对铜的蚀刻速率以及刻蚀角度，没有倒角，并且无残渣残留，产品拥有更长的使用寿命，在较高铜离子浓度下仍能保持优异的蚀刻性能。

在高端光刻胶剥离液领域，多以进口产品为主，其难点在于当光刻胶厚度更大的时候，传统光刻胶剥离液很难在其它接触材料没有损伤前提下，完全清除干净。安储科技高效低成本的配方型光阻剥离液能够有效清除各种光刻胶，同时不蚀刻或侵蚀其它暴露材料，不仅适用于先进半导体芯片，同时也适用于LCD、LED、平板显示。

在电子特气负压存储钢瓶领域，美国英特格（Entegris）垄断了全球85%以上的市场份额，国内厂商相关产品大多自产自用。安储科技开发的电子特气负压存储钢瓶内装多孔材料，具有高比表面积，对磷烷（PH3）和砷烷（AsH3）三氟化硼（BF3），四氟化锗（GeF4）等电子特气有着很高的吸附能力，并且储存稳定安全，不会影响气体纯度，释放量高。经过测试，产品在各项性能指标方面已经完全达到了进口产品水平。



                                        
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